Les transistor a effet de champ

La principale différence entre un transistor bipolaire et un transistor à effet de champ, est que le premier est contrôlé par un courant et que le deuxième est contrôlé par une tension. La construction d'un transistor à effet de champ de type N consiste en un barreau de semi-conducteur de type N étranglé par un beignet de type P. Un transistor à effet de champ de type P a un barreau de type P et un beignet de type N. La partie inférieure est appelée la source, la partie supérieure est appelée le drain et entre les deux on retrouve la grille. C'est par un espace étroit que les électrons doivent passer pour se déplacer de la source au drain. La largeur de ce canal est importante parce que c'est elle qui détermine le courant traversant le JFET (de l'anglais "Junction field effect transistor").







La grille et le barreau forment une jonction PN. La zone d'appauvrissement autour de cette jonction étant isolante, l'épaisseur de celle-ci contrôlera la dimension du canal au centre du beignet. Dans le cas d'un JFET de type N, la grille sera polarisée par une tension négative par rapport au barreau. Le but est d'obtenir une zone d'appauvrissement dont l'épaisseur est ajustée par la tension UGS. Plus cette tension sera grande, plus le canal sera petit et moins de courant pourra alors traverser la structure du JFET. La Figure montre les polarités normales d'utilisation d'un JFET de type N et de type P




Un transistor à effet de champ ne demande à toute fin pratique aucun courant de grille pour fonctionner. Ceci a comme qualité de produire une impédance d'entrée d'un valeur extrêmement élevée.



La figure montre la relation entre le courant de drain ID et la tension UDS pour des valeurs de UGS données. Remarquez la similitude entre ces courbes et celles d'un transistor bipolaire IC(UCE). Les différences sont la tension de saturation qui est plus élevée et qui change selon de UGS et le faite que les courbes ne sont pas espacées régulièrement.